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如何正確分析光學薄膜的成分
當小編在第一篇關于薄膜微觀結構的文章時，就介紹過薄膜的微觀結構包括兩方面，
一是薄膜表面與橫斷面的形貌，其主要表現為柱狀加空穴結構，柱狀幾乎垂直于表面生長，并且層與層之間有明顯的界限，上層柱體與下層柱體并不完全連續，其與蒸發溫度及基板的溫度有很大關系。
二是薄膜內部的結晶機構。其與結晶時原子的遷移率有關,大多數薄膜都為多晶結構，這是由于薄膜材料從高溫蒸發源沉積在低溫基板上而迅速冷卻或淬火的緣故。通常淀積分子原子或分子重新排列需要一定的時間，而且在重新排列過程中會經歷較高溫的狀態，如果冷卻速率大于結晶速率，則這種高溫狀態則會凍結在膜層內，形成多晶結構。在介紹薄膜微觀結構時，有過詳述，這里不在介紹。
今天介紹薄膜的成分，不同薄膜所用材料不盡相同，所以薄膜成分也就多種多樣，然而分析方法確實千篇一律。
薄膜材料經過固相-液相-氣相-固相或固相-氣相-固相轉化后在基板上凝固而成，因此不僅微觀結構和晶體結構，而且薄膜成分都會與塊狀材料不盡相同。
絕大多數金屬都是以原子形式蒸發的，但對一些半導體以及半金屬，它們多是以2個或2個以上的原子集合體蒸發的。
就Sb（銻）而言，Sb的四個原子都以4個相似的共價鍵相結合，故Sb膜中主要含有，同時混有少量的和Sb；
As（砷）主要含有和；
Bi（鉍）和Te（碲）主要含有和；
C（碳）、Ge（鍺）、Se（硒）、Si（硅）等中也都有類似的集合體。
化合物的情況更復雜。
對于硫屬化合物，蒸發時材料是分解的，例如：。但它們在基板上又重新化合了，因而仍能得到化學計量和化學計量一致的膜層。
CdS（硫化鎘）蒸汽分解時，可以得到Cd與S、、、。失硫現象比硫化鋅嚴重。
同時，氟化物也引起了不同程度度的失氟，下表1是幾種氟化物的失氟情況。
表一 距離的部分氟化物失氟的情況
Table I partial fluorination offluorides
膜層 | ||||||
原子 | ||||||
濃度比 | 1.3 | 3.6 | 1.3 | 1.4 | 1.5 | 0.6 |
失氟后的膜層吸附潮氣的能力的能力提高，這種失氟情況與蒸發源的的情況有密切關系，采用大容量的輻射蒸發源可得到塊狀化學計量近似一致的膜層。
在蒸發氧化物時，可觀察到分解的，即使是也包含著與。失氧最嚴重的是（氧化鈦）、（氧化鉭）和（氧化鎳）等。、、（氧化鈹）、（氧化鈷）幾乎接近于塊狀材料。
濺射也包含著大量的復合原子。離子加速器電壓越高，濺射的單原子分子就越少，以濺射Gu原子為例，對多晶銅靶，的加速原子為100eV時，Gu原子的含量約有5%左右，其余都是。對單晶Gu（100）靶，除含有和之外，還有。用和濺射Al,也可觀察到和。用濺射，濺射出來的99%是Ca與As的中性分子，其余才是CaAs分子。
薄膜化學成分的分析主要是借助表面分析技術，所謂表面分析技術，通常是用分子、光子或離子轟擊待分析的樣品表面，粒子與固體表面相互接觸，結果將引起，激發粒子的發射，即二次離子，利用這種激發和放射過程就能鑒定薄膜表面和薄膜的化學成分。
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